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参数目录42417
> DMG8880LSS-13 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
型号:
DMG8880LSS-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMG8880LSS-13 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫欧 @ 11.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1289pF @ 15V
功率 - 最大
1.43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
标准包装
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMG8880LSS-13DIDKR
查看DMG8880LSS-13代理商
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